CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Anisotropic vapor HF etching of silicon dioxide for Si microstructure release

V. Passi ; Ulf Södervall (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Göran Petersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Mats Hagberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; C. Krzeminski ; E. Dubois ; B. Du Bois ; J. P. Raskin
Microelectronic Engineering (0167-9317). Vol. 95 (2012), p. 83-89.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Damages are created in a sacrificial layer of silicon-dioxide by ion implantation to enhance the etch rate of silicon-dioxide in liquid and vapor phase hydrofluoric acid. The etch rate ratio between implanted and unimplanted silicon-dioxide is more than 150 in vapor hydrofluoric acid (VHF). This feature is of interest to greatly reduce the underetch of microelectromechanical systems anchors. Based on the experimentally extracted etch rate of unimplanted and implanted silicon-dioxide, the patterning of the sacrificial layer can be predicted by simulation.

Nyckelord: Implantation of silicon oxide, Vapor phase hydrofluoric acid release, Wet release, photoresist sacrificial layer, ion-implantation, mems fabrication, damage



Denna post skapades 2012-07-02.
CPL Pubid: 159860

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur