CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Modeling of Long Term Memory Effects in RF Power Amplifiers with Dynamic Parameters

Ali Soltani Tehrani (GigaHertz Centrum ; Institutionen för signaler och system, Kommunikationssystem) ; Thomas Eriksson (Institutionen för signaler och system, Kommunikationssystem ; GigaHertz Centrum) ; Christian Fager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
2012 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, Montreal, 17-22 June 2012 (0149-645X). p. Art. no. 6259496. (2012)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

This paper presents a new radio frequency power amplifier behavioral model that is capable of modeling long term memory effects. The proposed model is derived by assuming linear dependence of the parameters of a conventional model to a long term memory parameter, which enables the model to better track the signal-induced changes of the power amplifier electrical behavior. The model is experimentally tested and shows a 2-3 dB improvement compared to common behavioral models.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2012-06-30. Senast ändrad 2016-07-13.
CPL Pubid: 159821

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)