CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Design and Fabrication of AlN/GaN Heterostructures for Intersubband Technology

Tommy Ive (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Kristian Berland (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Martin Stattin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Fredrik Fälth (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per Hyldgaard (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Thorvald Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Japanese Journal of Applied Physics (0021-4922). Vol. 51 (2012), 1, p. Article Number: 01AG07 .
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We have used models based on the effective-mass approximation and Schrodinger-Poisson to design AlN/GaN multiple quantum well structures for intersubband transitions between two or three energy levels. The structures were realized by molecular beam epitaxy and the surface morphology and structural quality were investigated. We also investigated GaN waveguides that were fabricated using standard cleanroom techniques. Our work is focused on the various challenges associated to the fabrication of quantum cascade lasers based on group III-nitrides. These challenges are discussed in the light of our results.

Nyckelord: multiple-quantum wells, mu-m, cascade lasers, absorption



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2012-06-11. Senast ändrad 2017-10-03.
CPL Pubid: 158738

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)