CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Ultralow-Power Cryogenic InP HEMT With Minimum Noise Temperature of 1 K at 6 GHz

Joel Schleeh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Göran Alestig (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; John Halonen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Anna Malmros (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; J. Piotr Starski (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 33 (2012), 5, p. 664-666.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present in this letter an InGaAs/InAlAs/InP high-electron-mobility transistor (InP HEMT) with record noise temperature at very low dc power dissipation. By minimizing parasitic contact and sheet resistances and the gate current, a 130-nm-gate-length InP HEMT was optimized for cryogenic low-noise operation. When integrated in a 4- to 8-GHz three-stage hybrid low-noise amplifier operating at 10 K, a noise temperature of 1.2 K +/- 1.3 K at 5.2 GHz was measured. The gain of the amplifier across the entire band was 44 dB, consuming only 4.2 mW of dc power. The extracted minimum noise temperature of the InP HEMT was 1 K at 6 GHz.

Nyckelord: Cryogenic, InGaAs/InAlAs/InP high-electron-mobility transistor (InP HEMT), low noise, low power



Denna post skapades 2012-05-28. Senast ändrad 2016-06-29.
CPL Pubid: 158110

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)