CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

As3d core level studies of (GaMn)As annealed under As capping

Intikhab Ulfat (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Johan Adell (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; J. Sadowski ; Lars Ilver (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Janusz Kanski (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik)
Surface Science (0039-6028). Vol. 604 (2010), 2, p. 125-128.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The surface of a Ga(0.95)Mn(0.05)As layer subjected to low temperature annealing under As capping has been studied by core level photoemission with focus on As3d spectrum. By detailed comparison with the surface of pure GaAs subjected to the same surface treatment, the As spectral component of the reacted surface layer has been identified. The relative intensity of this component is consistent with the notion of an MnAs monolayer terminating the annealed (GaMn)As surface.

Nyckelord: Core level photoemission; As3d spectrum; (GaMn)As; Post-growth annealing

Denna post skapades 2012-05-10. Senast ändrad 2014-03-24.
CPL Pubid: 157508


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik (2005-2015)


Ytor och mellanytor

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:

Synchrotron light based spectroscopy of MBE-grown (GaMn)As structures

Detailed photoemission studies of the prototype diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As