CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Frequency Multiplier Measurements on Heterostructure Barrier Varactors on a Copper Substrate

Lars Dillner (Institutionen för mikroelektronik) ; Wlodek Strupinski ; Stein Hollung (Institutionen för mikroelektronik) ; Chris Mann ; Jan Stake (Institutionen för mikroelektronik) ; Matthew Beardsley ; Erik L. Kollberg (Institutionen för mikroelektronik)
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 21 (2000), 5, p. 206-208.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We have fabricated heterostructure barrier varactors (HBV) on a copper substrate, which offers reduced spreading resistance, and improved thermal conductivity compared to an InP substrate. The devices are fabricated without degrading the electrical characteristics. The three-barrier HBV material grown by MOVPE has a leakage current of only 0.1 mu A/ mu m/sup 2/ at 19 V. The maximum capacitance is 0.54 fF/ mu m/sup 2/. In a frequency tripler experiment a maximum output power of 7.1 mW was generated at 221 GHz with a flange-to-flange efficiency of 7.9%.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2006-08-28. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 15448

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroelektronik (1995-2003)

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Elektronik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Heterostructure Barrier Varactors for High Efficiency Frequency Multipliers