CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Note: Fast and reliable fracture strain extraction technique applied to silicon at nanometer scale

Vikram Passi ; U. Bhaskar ; Thomas Pardoen ; Ulf Södervall (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Göran Petersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Mats Hagberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Jean-Pierre Raskin
Review of Scientific Instruments (0034-6748). Vol. 82 (2011), 11, p. art. no 116106.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Simple fabrication process and extraction procedure to determine the fracture strain of monocrystalline silicon are demonstrated. Nanowires/nanoribbons in silicon are fabricated and subjected to uniaxial tensile stress along the complete length of the beams. Large strains up to 5% are measured for nanowires presenting a cross section of 50 nm × 50 nm and a length of 2.5 μm. An increase in fracture strain for silicon nanowires (NWs) with the downscaling of their volume is observed, highlighting the reduction of the defects probability as volume is decreased.



Denna post skapades 2012-01-20. Senast ändrad 2016-10-07.
CPL Pubid: 154152

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur