CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Spatial variarion of hole eigen energies in Ge/Si quantum wells

M. Kaniewska ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; A. Karmous ; O. Kirfel ; E Kasper ; Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Johan Piscator (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; G Zaremba ; M Kaczmarczyk ; M Wzorek ; A Czerwinsky ; B Surma ; A Wnuk
AIP Conference Proceedings. PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, Seoul, Korea, 25-30 July 2010 (0094-243X). Vol. 1399 (2011), , p. 293-294.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Ge quantum well (QW) structures were prepared through Si-capping of 3.3 ML of Ge by MBE on p +-(001) Si substrates at a growth temperature of 550°C. The spatial variation of hole eigen energies in the QW were revealed by DLTS. Depending on the position on the wafer surface, the hole emission may be imposed by a lateral quantum confinement effect. Results of a study by HRTEM methods demonstrate pronounced fluctuations of the QW thickness and variations of the strain field in the QW.

Nyckelord: DLTS, Ge/Si, HRTEM, MBE, QWs

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2011-12-30. Senast ändrad 2016-07-20.
CPL Pubid: 151259


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)