CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

An X-band low phase noise AlGaN-GaN-HEMT MMIC push-push oscillator

Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Sz-Hau Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Dan Kuylenstierna (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jonathan Felbinger (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; K. Andersson ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
33rd IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium: Integrated Circuits in GaAs, InP, SiGe, GaN and Other Compound Semiconductors, CSICS 2011, Waikoloa, 16-19 October 2011 (1550-8781). (2011)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

An X-band low phase noise AlGaN-GaN HEMT MMIC push-push oscillator is designed, fabricated, and characterized. The oscillator is based on two common gate Colpitts oscillators. A minimum phase noise of -101 dBc at 100 kHz offset is achieved. The MMIC was fabricate in an 'in-house process' at Chalmers University of Technology.

Nyckelord: AlGaN-GaN HEMT, MMIC, oscillator



Denna post skapades 2011-12-21. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 150655

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)