CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Monte Carlo study of the noise performance of isolated-gate InAs/AlSb HEMTs

Helena Rodilla (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Tomas Gonzalez ; Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Javier Mateos
Semiconductor Science and Technology (0268-1242). Vol. 27 (2012), 1, p. 015008.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

In this work, the extrinsic dynamic behavior and noise performance of a 225 nm isolated-gate InAs/AlSb high electron mobility transistor (HEMT) have been studied by means of Monte Carlo simulations. A very good agreement with experimental results has been achieved for fT . Discrepancies between experimental and simulated f max have been observed and attributed to the experimental frequency dispersion of gd and Cds. The simulations of the intrinsic and extrinsic noise parameters indicate an excellent performance for this device (Fmin = 0.3 dB at 10 GHz) even if we confirm that the presence of the native oxide under the gate induces a significant decrease in fT and f max of around 20%, together with an increase of noise figure and noise resistance.

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2011-12-09. Senast ändrad 2015-02-11.
CPL Pubid: 149907


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Denna publikation är ett resultat av följande projekt:

Semiconductor nanodevices for room temperature THz emission and detection (ROOTHZ) (EC/FP7/243845)