CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Andreev tunneling in charge pumping with SINIS turnstiles

T. Aref ; V. F. Maisi ; Martin V. Gustafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Per Delsing (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; J. P. Pekola
Europhysics Letters (0295-5075). Vol. 96 (2011), 3,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present measurements on hybrid single-electron turnstiles with superconducting leads contacting a normal island (SINIS). We observe Andreev tunneling of electrons influencing the current plateau characteristics of the turnstiles under radio-frequency pumping. The data is well accounted for by numerical simulations. We verify the dependence of the Andreev tunneling rate on the turnstile's charging energy. Increasing the charging energy effectively suppresses the Andreev current.

Nyckelord: single-electron transistor, coulomb-blockade, junctions, oscillations, reflection, transport, island



Denna post skapades 2011-12-09. Senast ändrad 2011-12-15.
CPL Pubid: 149887

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Studies of acoustic waves, noise and charge pumping using single-electron devices


 


Projekt

Denna publikation är ett resultat av följande projekt:


Single cooper pair electronics (SCOPE) (EC/FP7/87673)