CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Carbon Nanotube Field Effect Transistors with Suspended Graphene Gates

J. Svensson ; N. Lindahl ; H. Yun ; M. Seo ; Daniel Midtvedt (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens teori) ; Yury A. Tarakanov (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens teori) ; Niclas Lindvall (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; O. Nerushev ; Jari M. Kinaret (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens teori) ; S. Lee ; E. E. B. Campbell
Nano Letters (1530-6984). Vol. 11 (2011), 9, p. 3569-3575.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Novel field effect transistors with suspended graphene gates are demonstrated. By incorporating mechanical motion of the gate electrode, it is possible to improve the switching characteristics compared to a static gate, as shown by a combination of experimental measurements and numerical simulations. The mechanical motion of the graphene gate is confirmed by using atomic force microscopy to directly measure the electrostatic deflection. The device geometry investigated here can also provide a sensitive measurement technique for detecting high-frequency motion of suspended membranes as required, e.g., for mass sensing.

Nyckelord: Carbon nanotube, field effect transistor, graphene, movable gate, electrode, monolayer graphene, resonators, performance, sheets

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2011-11-03. Senast ändrad 2014-10-09.
CPL Pubid: 148095


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens teori (1900-2015)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik


Nanovetenskap och nanoteknik
Annan fysik

Chalmers infrastruktur

NFL/Myfab (Nanofabrication Laboratory)

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:

Carbon-nanotube-based nanoelectromechanical transistors