CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Good selectivity between a NiCr mask and GaAs and AlGaAs by chemically assisted ion beam etching with Cl2 gas

Zhaohua Xiao (Institutionen för fasta tillståndets elektronik) ; Bengt Nilsson (Institutionen för fysik)
Journal of the Electrochemical Society (0013-4651). Vol. 138 (1991), p. 3086-9.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The authors report highly selective etching rates between a Ni-Cr mask and GaAs and AlGaAs layers as well as highly anisotropic profiles in these materials at a nanometer scale using the Ni-Cr mask and chemical assisted ion beam etching. The etching rates of Ni-Cr, GaAs, and AlGaAs depend on Cl2 gas flux. ion beam energy, and ion beam current density. Selectivities of the order of 40:1 and 8:1 between GaAs, respectively. Al0.29Ga0.71As and Ni0.7Cr0.3, were obtained at an ion beam energy of 500 eV, beam current density of 0.2 mA/cm2, and a Cl2 flow of 4.2 ml/min

Nyckelord: aluminium compounds, chlorine, chromium alloys, gallium arsenide, III-V semiconductors, integrated circuit technology, masks, nickel alloys, sputter etching, VLSI



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2011-10-21. Senast ändrad 2011-11-02.
CPL Pubid: 147570

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för fasta tillståndets elektronik (1985-1998)
Institutionen för fysik (1900-2003)

Ämnesområden

Materialvetenskap
Nanovetenskap och nanoteknik
Övrig elektroteknik, elektronik och fotonik

Chalmers infrastruktur