CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Effect of interface roughness on acoustic loss in tunable thin film bulk acoustic wave resonators

Andrei Vorobiev (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; John Berge (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Spartak Gevorgian (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Markus Löffler (Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys) ; Eva Olsson (Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys)
Journal of Applied Physics (0021-8979). Vol. 110 (2011), 2,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Tunable 5.2 GHz bulk acoustic wave resonators utilizing Ba(x)Sr(1-x)TiO(3) ferroelectric films with similar intrinsic properties but different interface roughness are fabricated and characterized. Increase in roughness from 3.2 nm up to 6.9 nm results in reduction in Q-factor from 350 down to 150 due to extrinsic acoustic losses caused by wave scattering at reflections from rough interfaces and other mechanisms associated with roughness. The increased roughness is a result of distortion of Pt bottom electrode caused by formation of heterogeneous enclosures of TiO(2-x) in the Pt layer. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3610513]



Denna post skapades 2011-10-13. Senast ändrad 2015-07-08.
CPL Pubid: 147184

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys (2005-2012)

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur