CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Microscopic Si whiskers

S. Kalem ; P. Werner ; Mats Hagberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; V. Talalaev ; Örjan Arthursson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Henrik Frederiksen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Ulf Södervall (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet)
Microelectronic Engineering (0167-9317). Vol. 88 (2011), 8, p. 2593-2596.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Physical properties of microscopic silicon whiskers formed by reactive ion etching in chlorine plasma are reported in an attempt to clarify the formation mechanism and the origin of the observed optical and electrical phenomena. The silicon whiskers with diameters of well under 5 nm exhibit strong photoluminescence (PL) both in visible and infrared, which are related to quantum confinement, near band-edge and defects. Vibrational analysis indicate that disorder induced LO-TO optical mode coupling is very effective. Electric field emission properties of these microscopic features were also investigated to determine their potential for advanced technology applications. (C) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.

Nyckelord: Silicon, Nanowhiskers, Nanowires, Photoluminescence, Field emission, Black silicon, silicon nanowires, field, temperature, ow tp, 1987, v134, p1281



Denna post skapades 2011-10-12. Senast ändrad 2016-06-29.
CPL Pubid: 147165

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur