CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Passivation of InGaAs/InAlAs/InP HEMTs using Al2O3 atomic layer deposition

Joel Schleeh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; John Halonen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Lunjie Zeng (Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys) ; Ramvall P. ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Eva Olsson (Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011, Berlin, 22-26 May 2011 (1092-8669). (2011)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

InGaAs/InAlAs/InP HEMTs (InP HEMTs) passivated by Al2O3 atomic layer deposition (ALD) demonstrated improved DC performance compared to Si3N4 plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). DC measurements have been performed on 130 nm gate-length devices before and after passivation. An increase in maximum drain current density of 20% and extrinsic transconductance of 30% were observed after both ALD and PECVD device passivation. In comparison to PECVD passivated InP HEMTs, ALD passivated devices demonstrated a full suppression of a kink in the I-V characteristics associated with surface traps.



Denna post skapades 2011-10-06. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 146881