CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Design and characterization of a highly linear 3 GHz GaN HEMT amplifier

Pirooz Chehrenegar (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Olle Axelsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jonathan Felbinger (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
2011 Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, INMMiC 2011. Vienna, 18-19 April 2011 (2011)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

In this paper a highly linear amplifier using an in-house gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) technology is presented. A 3 dB bandwidth of 2.7-3.6 GHz with a maximum gain of 18 dB was measured. The output third-order intercept point (OIP3) was measured to 39 dBm with a maximum power consumption of 2.1 W. With a reduction of power consumption to 1 W the noise figure was improved by 0.6 dB while the OIP3 was degraded 3 dB.

Nyckelord: Gain, GaN HEMT transistor, high dynamic range, Linearity, OIP3, Power consumption



Denna post skapades 2011-08-31. Senast ändrad 2015-07-28.
CPL Pubid: 145467

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
GigaHertz Centrum

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


GaN HEMT Low Noise Amplifiers for Radio Base Station Receivers