CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Investigation of metamorphic InGaAs quantum wells using N-incorporated buffer on GaAs grown by MBE

Yuxin Song (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Cao Xiaohui (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Zonghe Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet)
Journal of Crystal Growth (0022-0248). Vol. 323 (2011), 1, p. 21-25.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Strong enhancement of photoluminescence intensity from InGaAs quantum wells by incorporating nitrogen in metamorphic InGaAs buffers grown on GaAs substrates was demonstrated and investigated. The enhancement of photoluminescence intensity is found to be from both the weak strain effect and the strong lattice hardening effect, indicating blocking effect of threading dislocations due to the N incorporation. Combination of this method with a strain compensated superlattice was proved to be effective in obtaining good quality metamorphic InGaAs quantum wells.

Nyckelord: Dislocations, Molecular beam epitaxy, Semiconducting III-V materials



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2011-07-13. Senast ändrad 2016-10-27.
CPL Pubid: 143410

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)