CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Monte Carlo study of impact ionization and hole transport in InAs HEMTs with isolated gate

Beatriz G. Vasallo ; Helena Rodilla ; Tomás González ; Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Javier Mateos
Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011, Palma de Mallorca; 8 February 2011 through 11 February (2011)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Nyckelord: hole dynamics, impact ionization, InAs/AlSb HEMTs, kink effect, Monte Carlo simulation



Denna post skapades 2011-06-17. Senast ändrad 2015-02-11.
CPL Pubid: 141917

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur