CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characterization of thin film resistors and capacitors integrated on GaAs membranes for submillimeter wave circuit applications

Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum) ; Thi Do Thanh Ngoc (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Peter Sobis (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum) ; Aik Yean Tang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum) ; Klas Yhland (GigaHertz Centrum) ; Jörgen Stenarson (GigaHertz Centrum) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ; GigaHertz Centrum)
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011, Berlin, 22-26 May 2011 (1092-8669). p. 1-4. (2011)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

In this paper we describe the fabrication and characterization of thin film resistors and capacitors integrated on a 3 μm thick GaAs membrane. The thin film resistors and capacitors are based on NiCr and SiN x materials respectively. Onwafer probing DC characterization of these thin film components was performed before removing the GaAs substrate. The corresponding high frequency characterization in the WR-03 frequency band (220-325 GHz) was demonstrated utilizing a membrane-based two-port TRL calibration technique. The measurement results have shown a good agreement with the simulation.

Nyckelord: membrane, thin film resistor, thin film capacitor, S parameter



Denna post skapades 2011-05-30. Senast ändrad 2015-07-28.
CPL Pubid: 141231