CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Mobility Improvement and Microwave Characterization of a Graphene Field Effect Transistor With Silicon Nitride Gate Dielectrics

Omid Habibpour (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Sergey Cherednichenko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 32 (2011), 7, p. 871-873.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We report on the influence of a silicon nitride gate dielectric in graphene-based field-effect transistors (FETs). The silicon nitride is formed by a plasma enhanced chemical vapor deposition method. The process is based on a low density plasma at a high pressure (1 torr), which results in a low degradation of the graphene lattice during the top-gate formation process. Microwave measurements of the graphene FET show a cutoff frequency of 8.8 GHz for a gate length of 1.3 μm. A carrier mobility of 3800 cm2/V · s at room temperature was extracted from the dc characteristic.

Nyckelord: Dielectric, field-effect transistors (FETs), graphene, microwave transistors



Denna post skapades 2011-05-23. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 140930

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)