CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Growth of dilute nitrides and 1.3 μm edge emitting lasers on GaAs by MBE

Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Göran Adolfsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Yuxin Song (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Johan S. Gustavsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Peter Modh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Åsa Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Petter Westbergh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Physica Status Solidi B - Basic Solid State Physics (0370-1972). Vol. 248 (2011), 5, p. 1207-1211.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

In this paper, we report recent progresses on growth of dilute nitrides and 1.3 mu m lasers on GaAs using molecular beam epitaxy at Chalmers University of Technology, Sweden. Intense long wavelength light emission up to 1.71 mu m at room temperature has been achieved by using the N irradiation method and the low growth rate. It is also demonstrated that incorporation of N in relaxed InGaAs buffer grown on GaAs strongly enhances the optical quality of metamorphic InGaAs quantum wells. With the optimized growth conditions and the laser structures, we demonstrate 1.3 mu m GaInNAs edge emitting lasers on GaAs with state-of-the-art performances including a low threshold current density, a high-characteristic temperature, a 3 dB bandwidth of 17 GHz and uncooled operation at 10 Gbit/s up to 110 degrees C. The laser performances are comparable with the best reported data from the InGaAsP lasers on InP and is superior to the InAs quantum dot lasers on GaAs.

Nyckelord: 1.3 mu m edge emitting laser, dilute nitrides, GaAs, GaInNAs, quantum-well lasers, molecular-beam epitaxy, surface segregation, threshold current, carrier localization, gainnas lasers, temperature, performance, modulation, photoluminescence



Denna post skapades 2011-05-17. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 140750

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)