CPL - Chalmers Publication Library

Fabrication and Characterization of Thin-Barrier Al05Ga05N/AlN/GaN HEMTs

Författare och institution:
Jonathan Felbinger (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Martin Fagerlind (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Olle Axelsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik); Xiang Gao (-); Shiping Guo (-); William Schaff (-); Lester Eastman (-)
Publicerad i:
IEEE Electron Device Letters, 32 ( 7 ) s. 889-891
ISSN:
0741-3106
Publikationstyp:
Artikel, refereegranskad vetenskaplig
Publiceringsår:
2011
Språk:
engelska
Fulltextlänk:
Fulltextlänk (lokalt arkiv):
Sammanfattning (abstract):
The growth, fabrication, and performance of AlGaN/AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) with a total barrier thickness of 7 nm are reported. An optimized surface passivation and an Ohmic recess etch yield HEMTs exhibiting 0.72 S/mm peak extrinsic DC transconductance at a current density of 0.47 A/mm. Devices with a gate length of 90 nm achieve 78 GHz unity-current-gain frequency and up to 166 GHz maximum frequency of oscillation. The minimum noise figure at 10 GHz is 0.52 dB with an associated gain of 9.5 dB.
Ämne (baseras på Högskoleverkets indelning av forskningsämnen):
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER ->
Elektroteknik och elektronik ->
Annan elektroteknik och elektronik ->
Elektroteknik
Nyckelord:
aluminum gallium nitride, high-electron mobility transistors (HEMTs), microwave noise, recessed ohmic contacts, surface passivation
Chalmers styrkeområden:
Informations- och kommunikationsteknik
Postens nummer:
139889
Posten skapad:
2011-04-27 17:19
Posten ändrad:
2011-08-09 10:39

Visa i Endnote-format