CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Fabrication and Characterization of Thin-Barrier Al05Ga05N/AlN/GaN HEMTs

Jonathan Felbinger (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Martin Fagerlind (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Olle Axelsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Xiang Gao ; Shiping Guo ; William Schaff ; Lester Eastman
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 32 (2011), 7, p. 889-891.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The growth, fabrication, and performance of AlGaN/AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) with a total barrier thickness of 7 nm are reported. An optimized surface passivation and an Ohmic recess etch yield HEMTs exhibiting 0.72 S/mm peak extrinsic DC transconductance at a current density of 0.47 A/mm. Devices with a gate length of 90 nm achieve 78 GHz unity-current-gain frequency and up to 166 GHz maximum frequency of oscillation. The minimum noise figure at 10 GHz is 0.52 dB with an associated gain of 9.5 dB.

Nyckelord: aluminum gallium nitride, high-electron mobility transistors (HEMTs), microwave noise, recessed ohmic contacts, surface passivation



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2011-04-27. Senast ändrad 2011-08-09.
CPL Pubid: 139889

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)