CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Thermal diffusion of Mn through GaAs overlayers on (Ga, Mn)As

Johan Adell (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Intikhab Ulfat (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Lars Ilver (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; J. Sadowski ; Krister Karlsson ; Janusz Kanski (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik)
Journal of Physics: Condensed Matter (0953-8984). Vol. 23 (2011), 8,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Thermally stimulated diffusion of Mn through thin layers of GaAs has been studied by x-ray photoemission. (Ga, Mn)As samples with 5 at% Mn were capped with 4, 6 and 8 monolayer (ML) GaAs, and Mn diffusing through the GaAs was trapped on the surface by means of amorphous As. It was found that the out-diffusion is completely suppressed for an 8 ML thick GaAs film. The short diffusion length is attributed to an electrostatic barrier formed at the (Ga, Mn)As/GaAs interface.



Denna post skapades 2011-02-04. Senast ändrad 2014-03-24.
CPL Pubid: 136527

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik (2005-2015)

Ämnesområden

Materialteknik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Synchrotron light based spectroscopy of MBE-grown (GaMn)As structures


Detailed photoemission studies of the prototype diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As