CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Growth and characterization of epitaxial ultra-thin NbN films on 3C-SiC/Si substrate for terahertz applications

Dimitar Dochev (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Vincent Desmaris (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Alexey Pavolotsky (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Denis Meledin (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Zonghe Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Anne Henry ; Erik Janzen ; E. Pippel ; J Woltersdorf ; Victor Belitsky (Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling)
Superconductor Science and Technology (0953-2048). Vol. 24 (2011), 3, p. 035016 (6pp).
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We report on electrical properties and microstructure of epitaxial thin NbN films grown on 3C-SiC/Si substrates by means of reactive magnetron sputtering. A complete epitaxial growth at the NbN/3C-SiC interface has been confirmed by means of high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) along with x-ray diffractometry (XRD). Resistivity measurements of the films have shown that the superconducting transition onset temperature (TC) for the best specimen is 11.8 K. Using these epitaxial NbN films, we have fabricated submicron-size hot-electron bolometer (HEB) devices on 3C-SiC/Si substrate and performed their complete DC characterization. The observed critical temperature TC = 11.3 K and critical current density of about 2.5 MA cm−2 at 4.2 K of the submicron-size bridges were uniform across the sample. This suggests that the deposited NbN films possess the necessary homogeneity to sustain reliable hot-electron bolometer device fabrication for THz mixer applications.

Nyckelord: epitaxial growth, hot electron bomometer, NbN, superconductor, thin films, THz

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2011-01-20. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 135617


Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling (2010-2017)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet


Nanovetenskap och nanoteknik
Den kondenserade materiens fysik

Chalmers infrastruktur



Denna publikation är ett resultat av följande projekt:

Advanced radio astronomy in Europe (RADIONET-FP7) (EC/FP7/227290)