CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Anisotropic transport properties in InAs/AlSb heterostructures

Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Alexei Kalaboukhov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; G. Dambrine ; S. Bollaert ; L. Desplanque ; X. Wallart ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Applied Physics Letters (1077-3118). Vol. 97 (2010), 24, p. 3.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We have investigated the anisotropic transport behavior of InAs/AlSb heterostructures grown on a (001) InP substrate. An electrical analysis showed anisotropic sheet resistance Rsh and electron mobility μn in the two dimensional electron gas (2DEG). Hall measurements demonstrated an enhanced anisotropy in μn when cooled from room temperature to 2 K. High electron mobility transistors exhibited 27% higher maximum drain current IDS and 23% higher peak transconductance gm when oriented along the [1-10] direction. The anisotropic transport behavior in the 2DEG was correlated with an asymmetric dislocation pattern observed in the surface morphology and by cross-sectional microscopy analysis of the InAs/AlSb heterostructure.

Nyckelord: aluminium compounds, cooling, dislocations, electric resistance, electron mobility, Hall effect, high electron mobility transistors, III-V semiconductors, indium compounds, semiconductor growth, semiconductor heterojunctions, surface morphology, two-dimensional electron gas

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2011-01-13. Senast ändrad 2017-10-09.
CPL Pubid: 133270


Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)