CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers (Invited)

Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Johan Piscator (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; I. Z. Mitrovic ; S. Hall ; H. D. B. Gottlob ; M Schmidt ; P. K. Hurley ; K. Cherkaoui
Journal of Telecommunications and Information Technology (1509-4553). Vol. 1 (2010), p. 10.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2010-12-29. Senast ändrad 2013-10-29.
CPL Pubid: 132082