CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Gate stacks

Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; I. Z. Mitrovic ; S. Hall ; P. K. Hurley ; K. Cherkaoui ; S Monaghan ; H. D. B. Gottlob ; M. C. Lemme
Nanoscale CMOS: Innovative Materials, Modeling and Characterization p. 23 - 67. (2010)
[Kapitel]

Nyckelord: AlN buffer layer; Gate stacks; GdSiO/LaSiO; Metal gate; MOSFETs



Denna post skapades 2010-12-29. Senast ändrad 2016-07-01.
CPL Pubid: 132080

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Elektronik

Chalmers infrastruktur