CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Multiparameter admittance spectroscopy (Invited)

Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
8th International Symposium on High Dielectric Constant and Other Dielectric Materials for Nanoelectronics and Photonice - 218th ECS Meeting; Las Vegas, NV; United States; 11 October 2010 through 15 October 2010 (1938-5862). Vol. 35 (2010), 3, p. 257-265.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Multiparameter admittance spectroscopy is described for investigating interface state properties of metal-oxide-semiconductor structures. In the conductance mode of this method, it allows for obtaining three-dimensional or contour plots of conductance data which reveal the mechanisms for capture of charge carriers into the interface states.

Denna post skapades 2010-12-29. Senast ändrad 2016-07-01.
CPL Pubid: 132074


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)


Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur