CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Full characterization of a semiconductor laser beam by simultaneous capture of the near- and far-field

Carl Borgentun (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Jörgen Bengtsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
International Semiconductor Laser Conference (ISLC), Kyoto, Japan, 26-30/9 2010 p. 127-128. (2010)
[Konferensbidrag, poster]

We present a new measurement technique for fully characterizing a semiconductor laser beam. The reflections from both surfaces of a planoconvex lens are used to simultaneously capture the near- and far-field. The optical phase is then retrieved using the Gerchberg-Saxton algorithm with improved numerical operations.

Nyckelord: Gerchberg-Saxton, high-power laser, optically pumped semiconductor disk laser (OP-SDL), phase retrieval, vertical-external-cavity surface-emitting laser (VECSEL)

(c) 2010 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other users, including reprinting/ republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted components of this work in other works.

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2010-12-06. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 130105


Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik


Nanovetenskap och nanoteknik

Chalmers infrastruktur