CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

InGaAs/InAlAs/AlAs Heterostructure Barrier Varactors on Silicon Substrate

M. Hadi Tavakoli Dastjerdi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Anke Sanz-Velasco (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Erik L. Kollberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 32 (2011), 2, p. 140-142.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present the results of a study on epitaxial transfer of InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) materials onto a silicon substrate employing the low-temperature plasma activated bonding technique. The test diodes fabricated on the bonded samples exhibit symmetric electrical characteristics, over the temperature range of 25 ˚C–165 ˚C, and show no degradation compared to previously reported InP-based diodes. Moreover, the onset temperature for debonding, the effective barrier height extracted from the measured data, and the maximum voltage of the HBVs for a current density of 100 A/cm2 were extracted to be 260 ˚C, 0.56 eV, and 10.5 V, respectively.

Nyckelord: Epitaxial transfer, integrated circuits, millimeter wave devices, wafer bonding, III–V semiconductors.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2010-11-24. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 129464

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)