CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Threading Dislocation Blocking by Dilute Nitrides in Metamorphic Structures on GaAs Grown by MBE

Yuxin Song (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Zonghe Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet)
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (2010)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Threading dislocation blocking by incorporating nitrogen in metamorphic InGaAs buffers on GaAs grown by MBE is demonstrated. This results in large enhancement of photoluminescence intensity from the metamorphic quantum wells.

Nyckelord: threading dislocation, dilute nitride, metamorphic



Denna post skapades 2010-11-23. Senast ändrad 2010-11-23.
CPL Pubid: 129408