CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Band-reconfigurable LDMOS power amplifier

Hossein Mashad Nemati (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Christian Fager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
2010 European Microwave Conference p. 978-981. (2010)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

A band-reconfigurable LDMOS high power amplifier (PA) with state-of-the-art performance is presented. The frequency reconfigurability is implemented by band-switchable matching networks using PIN diodes. The PA provides power-added efficiencies which are higher than 61% and output power levels exceeding 8 W at 0.9 GHz, 1.5 GHz, and 1.9 GHz. The input return loss in all the three bands is better than 12 dB.


EXPO



Denna post skapades 2010-11-11. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 128862

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)