CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Reply to Comment on "As 3d core level studies of (GaMn)As annealed under As capping" by I. Ulfat, J. Adell, J. Sadowski, L. Ilver, J. Kanski, Surface Science 604 (2010), 125 by P. Jiricek, M. Cukr, I. Bartos

Intikhab Ulfat (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Johan Adell (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; J. Sadowski ; Lars Ilver (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Janusz Kanski (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik)
Surface Science (0039-6028). Vol. 604 (2010), 21-22, p. 2065-2065.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

://000283014500038



Denna post skapades 2010-11-04.
CPL Pubid: 128609

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik (2005-2015)

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Detailed photoemission studies of the prototype diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As