CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Evaluation of a GaN HEMT transistor for load- and supply-modulation applications using intrinsic waveform measurements

Hossein Mashad Nemati (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Alan L. Clarke ; Steve C. Cripps ; Johannes Benedikt. ; Paul J. Tasker ; Christian Fager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest; 2010 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, MTT 2010; Anaheim, CA; 23 May 2010 through 28 May 2010 (0149645X). p. 509-512 . (2010)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Nyckelord: Efficiency; GaN HEMT; Load modulation; Power amplifier; Supply modulation



Denna post skapades 2010-11-04. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 128608

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)