CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Enhancement of optical quality in metamorphic quantum wells using dilute nitride buffers

Yuxin Song (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Zonghe Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet)
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 97 (2010), 9, p. 091903.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Strong enhancement of optical quality in quantum wells by incorporating nitrogen in metamorphic InGaAs buffers grown on GaAs substrates is demonstrated. This has resulted in 3.7 or 5.4 times enhancement of photoluminescence intensity from the metamorphic quantum wells when using dilute nitride superlattice alone or adding nitrogen in a strain compensated GaAs/In0.3Al0.7As superlattice, respectively. This study shows great potentials by incorporating N in metamorphic buffers to further improve the quality of metamorphic optoelectronic devices.

Nyckelord: dilute nitride, metamorhpic, dislocation, MBE



Denna post skapades 2010-10-28. Senast ändrad 2015-07-08.
CPL Pubid: 128294

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)