CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Design and Fabrication of Silicon Carbide RF MOSFET

Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Göteborg : Chalmers University of Technology, 2005. - 43 s.
[Licentiatavhandling]

Nyckelord: Silicon Carbide (SiC), 4H-SiC, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (MOSFET)



Denna post skapades 2006-11-16.
CPL Pubid: 12687