CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Enhancement of inversion channel mobility in 4H-SiC MOSFETs using a gate oxide grown in nitrous oxide (N2O)

Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Materials Science Forum Vol. 457-460 (2004), p. 1425-1428.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Nyckelord: MOSFET, nitrous oxide, interface states, channel mobility



Denna post skapades 2006-11-16. Senast ändrad 2011-09-19.
CPL Pubid: 12669

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Övrig elektroteknik, elektronik och fotonik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Design and Fabrication of Silicon Carbide RF MOSFET