CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A highly efficient 3.5 GHz inverse class-F GaN HEMT power amplifier

Paul Saad (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Christian Fager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Hossein Mashad Nemati (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Haiying Cao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
International Journal of Microwave and Wireless Technologies (1759-0787). Vol. 2 (2010), 3-4, p. 317-324.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

This paper presents the design and implementation of an inverse class-F power amplifier (PA) using a high power gallium nitride high electron mobility transistor (GaN HEMT). For a 3.5 GHz continuous wave signal, the measurement results show state-of-the-art power-added efficiency (PAE) of 78%, a drain efficiency of 82%, a gain of 12 dB, and an output power of 12 W. Moreover, over a 300 MHz bandwidth, the PAE and output power are maintained at 60% and 10 W, respectively. Linearized modulated measurements using 20 MHz bandwidth long-term evolution (LTE) signal with 11.5 dB peak-to-average ratio show that 242 dBc adjacent channel power ratio (ACLR) is achieved, with an average PAE of 30%, 247 dBc ACLR with an average PAE of 40% are obtained when using a WCDMA signal with 6.6 dB peak-to-average ratio (PAR).

Nyckelord: Power amplifier, Inverse-F, GaN HEMT, Wideband, High efficiency



Denna post skapades 2010-09-13. Senast ändrad 2016-06-30.
CPL Pubid: 126179

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)