CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Analysis of the High Frequency Spreading Resistance for Surface Channel Planar Schottky Diodes

Aik Yean Tang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik ; GigaHertz Centrum) ; Peter Sobis (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik ; GigaHertz Centrum) ; Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik ; GigaHertz Centrum) ; Vladimir Drakinskiy (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik ; GigaHertz Centrum) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik ; GigaHertz Centrum)
35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves 5-10 Sept. 2010 , p. 1-2. (2010)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Spreading resistance of a planar Schottky diode is studied as a function of the frequency and buffer layer thickness. The study shows an increase of effective high frequency resistance for a buffer layer thicker than skin depth, due to the parasitic capacitances induced current in buffer layer.

Nyckelord: Current distribution, electromagnetic coupling, geometric modeling, resistance, Schottky diodes, submillimeter wave diodes, submillimeter wave technology, skin effect



Denna post skapades 2010-09-11. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 126088

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)
GigaHertz Centrum

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Elektronik

Chalmers infrastruktur