CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Electrical properties of low-temperature bonded uni-polar Si/Si junctions

Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Petra Amirfeiz (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik)
Proc. 207th ECS-Meeting, Quebec 2005, Semiconductor Wafer Bonding VII p. 205. (2005)
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-16. Senast ändrad 2007-05-16.
CPL Pubid: 12573

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur