CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Deep levels induced by InAs/GaAs quantum dots

M Kaniewska ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; A Barcz ; M Pacholak-Cybulska
Journal of Material Science and Engineering C Vol. 26 (2006), 5-7, p. 871-875.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-15. Senast ändrad 2010-10-15.
CPL Pubid: 12568

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur