CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Interface state properties of high-k/SiOx/Si interfaces portrayed by multiparameter admittance spectroscopy

Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; T Gutt ; H. D. B. Gottlob ; H.M. Przewlocki ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
Proceedings of the 16th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, p. 103, Bratislava, June 28 - 30 2010 (2010)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2010-08-04.
CPL Pubid: 124117

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Materialfysik med ytfysik

Chalmers infrastruktur