CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

On the Large-Signal Modelling of AlGaN/GaN HEMTs; GaAs ; and SiC MESFETs

Iltcho Angelov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Invited paper Target Tutorial QS Modeling Orcietto Italy Vol. 1 (2005), 1, p. 101-121.
[Konferensbidrag, poster]

General questions concerning selection, modeling and use of different FET made from GaAs, SiC, GaN are discussed.

Nyckelord: FET, Large Signal models



Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2007-04-11.
CPL Pubid: 12378

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Beräkningsfysik

Chalmers infrastruktur