CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

RF noise model for CMOS Transistors

Iltcho Angelov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
GHZ 2005 Upsala Vol. 1 (2005), 1, p. 205-209.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

A RF Noise model for submicron CMOS transistors is proposed and implemented in commercial CAD tool. The model was experimentally evaluated and shows a good correspondence with the measurements.

Nyckelord: CMOS ,FET models



Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2007-04-11.
CPL Pubid: 12359

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Beräkningsfysik

Chalmers infrastruktur