CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Transfer of InP-based HBV epitaxy onto borosilicate glass substrate by anodic bonding

M. Hadi Tavakoli Dastjerdi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Anke Sanz-Velasco (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
Electronics Letters (0013-5194). Vol. 46 (2010), 14, p. 1013-1014.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present a new fabrication process for epitaxial transfer of InP-based heterostructure barrier varactor diodes, as high frequency varactor multipliers, onto low-dielectric borosilicate glass substrate, employing anodic bonding. The fabricated diodes on the new host substrate display symmetric electrical characteristics with only minor differences compared to those of the reference devices on the original InP substrate.

Nyckelord: WAFER BONDING, GLASS, EPITAXIAL LIFT-OFF, III-V SEMICONDUCTORS, SUBMILLIMETRE WAVE DEVICES, HBV



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2010-06-28. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 123447

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem (2007-2015)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur