CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Multiparameter Admittance Spectroscopy as a Diagnostic Tool for Interface States at Oxide/Semiconductor Interfaces

Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Johan Piscator (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
IEEE Trans. Electron Devices (0018-9383). Vol. 57 (2010), 7, p. 1702-1705.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Multiparameter admittance spectroscopy (MPAS) measurements have been performed on Al/HfO2/SiOx/Si structures before and after post metallization annealing (PMA). Contour plots of conductance data as a function of the logarithm of inverted signal frequency and applied voltage as obtained by MPAS are compared with standard capacitance versus voltage (C–V) data demonstrating the advantage of MPAS as a diagnostic tool. MPAS reveals more detailed properties of oxide/semiconductor interface states and renders measured data for better perceptiveness.

Nyckelord: MOS, high–k material, interface states, admittance, conductance method



Denna post skapades 2010-06-18. Senast ändrad 2010-07-09.
CPL Pubid: 122961

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Halvledarfysik
Elektronisk mät- och apparatteknik
Elektronik

Chalmers infrastruktur