CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High field effect mobility in Si face 4H-SiC MOSFET made on sublimation grown epitaxial material

Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mikael Syväjärvi ; R. Yakimova ; C. Hallin ; Thomas Rödle ; Rik Jos
Materials Science Forum Vol. 483-485 (2005), p. 841-844.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2006-11-16.
CPL Pubid: 12268

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Design and Fabrication of Silicon Carbide RF MOSFET