CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Field effect mobility in n-channel Si face 4H-SiC MOSFET with gate oxide grown on aluminium ion-implanted material

Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Rödle ; Rik Jos
Materials Science Forum Vol. 483-485 (2005), p. 833-836.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2006-11-16.
CPL Pubid: 12260

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur