CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Interface trap properties of thermally oxidized n-type 4H-SiC and 6H-SiC

Tamara Rudenko ; I. Osiyuk ; I. Tyagulski ; Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Solid State Electronics Vol. 49 (2005), p. 545-553.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2006-08-29.
CPL Pubid: 12235

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur